Projects

< Back

Senzori PTAT de înaltă temperatură cu diode Schottky pe SiC pentru monitorizare și securitate în medii industriale ostile

Coordinated by: Gheorghe Brezeanu

Other department members involved in this project: Cornel Andronache, Nicoleta Brănişteanu, Florin Drăghici, Florin Mitu, Gheorghe Pristavu, Ion Rusu

Other persons involved in the project

Marian Bădilă, CS I, Andrei Enache, drd.

Description:

Proiect nr. 275PED ⁄ 2020 (UPB: EL07-20-02)
2020-2022
Coordonator Proiect – Universitatea POLITEHNICA Bucureşti
Partener P1 – INCD de MICROTEHNOLOGII - IMT Bucureşti
Partener P2 - S.C. CEPROCIM, S.A, Bucureşti
Partener P3 - S.C. HEIDELBERGCEMENT ROMANIA, S.A, Bucureşti

Obiectivele generale ale proiectului


• Proiectarea, fabricarea și caracterizarea de senzori performanți de înaltă temperatură (model experimental), ce cuprinde:
◦ Diode Schottky pe carbură de siliciu (SiC), cu rol de element termosensibil.
◦ Circuit de polarizare, achiziție, prelucrare și conversie a semnalului dat de diode.
• Dezvoltarea unei tehnologii robuste de încapsulare pentru elementul termosensibil (structuri de diode specializate pentru măsurători diferențiale).
• Dezvoltarea unei metode facile de caracterizare și stabilirea criteriilor de clasificare pentru diodele Schottky pe SiC fabricate în funcție de gamele de temperatură și polarizare optime.
• Incorporarea senzorilor în carcase standard pentru sonde industriale și asigurarea compatibilității cu sistemele de achiziție prezente într-o fabrică de ciment, permițându-se astfel integrarea completă pe linia de producție.
• Validarea funcționalității modelului experimental în laborator și condiții reale de lucru, atingându-se cel puțin TRL 4.
• Elaborarea de brevete pentru metode, produse, procese și tehnologii originale, obținute în cadrul proiectului. Diseminarea rezultatelor la conferințe și jurnale de specialitate.


Etapa 1. Senzori de tip PTAT (proporțional cu temperatura absolută) cu diode Schottky pe SiC și circuit de procesare. Condiții de lucru în medii ostile pentru monitorizarea temperaturii și securitate.


Etapa I, derulată în 2020, este focalizată pe analiza condiţiilor de lucru ale senzorilor de temperaturi înalte pentru medii ostile. Se propun variante specifice pentru arhitectura şi tehnologia diodelor Schottky pe SiC și circuitele de achiziție și prelucrare a semnalului de la ieșirea senzorului.